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J.F.スコット/著 -- シュプリンガー・フェアラーク東京 -- 2003.11 -- 548.232

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所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
書庫(BF) /548.232/ニ3Y/ 09933375 一般 帯出可 配架中 iLisvirtual

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タイトル 強誘電体メモリ
副書名 物理から応用まで
責任表示 J.F.スコット /著, 田中 均洋 /訳, 磯辺 千春 /訳, 三浦 薫 /訳  
出版者 シュプリンガー・フェアラーク東京
出版年 2003.11
ページ数 260p
大きさ 24cm
一般件名 半導体記憶装置 , 強誘電体
NDC分類(9版) 548.232
内容紹介 エンジニアやデバイス物理の研究者、電気工学や応用物理学の研究者・学生向けの教科書。現在の水準の強誘電体薄膜メモリに関してのデバイス物理学の知識と、回路設計、材料の作製方法や評価法及び試験の手順との融合を目指す。
ISBN 4-431-71057-4
本体価格 ¥5200